GSM GPRS & modulo GPS
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Model No. :
Brand Name : SIMCOM
15yrs

Shenzhen, Guangdong, China

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Descrizione del prodotto

SIM508/548 è un modulo abilitato Tri-Band/Quad-Band GSM/GPRS che è inoltre dotato di tecnologia AGPS. Il design compatto del SIM508/548 lo rende facile da integrare GSM/GPRS e GPS come soluzione all-in-one. Risparmierete notevolmente sia i tempi e costi per l'integrazione di componenti hardware aggiuntivi.

La combinazione di entrambe le tecnologie può adattarsi a quasi tutte le esigenze di spazio nelle vostre applicazioni, permette un bene prezioso essere rintracciato in qualsiasi luogo e in qualsiasi momento con la copertura del segnale.

Caratteristiche fisiche
• Dimensioni d'ingombro: 55 x 34 x 3 mm
• Peso: approx.12g
• Temperatura di funzionamento:-20 ° C a + 60 ° C
• Limitata temperatura di funzionamento: da-30 ° C a-20 ° C e + 60 ° C a + 80 ° C
• Temperatura di stoccaggio:-40 ° C a + 85 ° C

Specifiche GSM/GPRS
• Tri-Band GSM 900/1800/1900 MHz, o Quad-Band GSM 850/900/1800/1900 MHz
• GPRS multi-slot classe 10/8
• GPRS mobile stazione di classe B
• Conforme alla fase GSM 2 / 2 +
-Classe 4 (2W @ GSM850 / 900MHz)
-Classe 1 (1W @ GSM1800 / 1900MHz)
• Controllo tramite comandi AT
(GSM 07.07 e 07.05 e SIMCom enhanced comandi AT)
• SIM application tool kit
• Basso consumo energetico
• Voltaggio di alimentazione: 3, 4V - 4, 5V

Specifiche per GPS
• Canali ricevitore 20, L1 1575.42 MHz, c/a codice tasso di 1.023 MHz chip
• Accuratezza posizione 2,5 m CEP
– senza SA/velocità 0,1 m/s
– senza 1μs SA/tempo sincronizzato al tempo GPS
• Posizione con DGPS/SBAS: 2,0 m CEP
• Data WGS-84
• Velocità di acquisizione (TTFF definito al 95% della stazione locale di prima posizione)
– Caldo inizio < 1s, media, cielo aperto
-Warm start: 35s, media, cielo aperto
-Cold start: 35s, media, cielo aperto
• Tensione di esercizio 3.3 v DC ± 5%
• Basso consumo energetico circa 160mW a 3.3 V (piena potenza)
• Protocolli
– NMEA-0183
– SiRF binary
– RTCM SC-104
• Cristallo oscillatore (TCXO), temperatura compensata con stabilità di frequenza di ± 0.5 ppm
• Memoria: On-chip SRAM FLASH e 1Mbit 4Mbit

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