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Model No. : | NS08GU4E8 |
---|
Shenzhen, Guangdong, China
Descrizione del prodotto
8GB 2666MHz 288 pin ddr4 udimm
Cronologia delle revisioni
Revision No. |
History |
Draft Date |
Remark |
1.0 |
Initial Release |
Apr. 2022 |
|
Tabella delle informazioni di ordinazione
Model |
Density |
Speed |
Organization |
Component Composition |
NS08GU4E8 |
8GB |
2666MHz |
1Gx64bit |
DDR4 1Gx8 *8 |
Descrizione
Hengstar DIMMS DDR4 SDRAM non infastiditi (moduli di memoria in linea DRAM DRAM DRAM DRAM in linea) sono moduli di memoria a bassa potenza e ad alta velocità che utilizzano dispositivi DDR4 SDRAM. NS08GU4E8 è un prodotto DDR4 DDR4-2666 DDR4-2666 da 1G X 64 Bit, basato su otto componenti FBGA a 8 bit da 1G X a 8 bit. L'SPD è programmato per la latenza standard JEDEC DDR4-2666 del 19-19-19 a 1,2 V. Ogni Dimm a 288 pin utilizza dita di contatto d'oro. Il DIMM non infranto SDRAM è destinato all'uso come memoria principale quando installato in sistemi come PC e workstation.
Caratteristiche
Perca potenza: VDD = 1.2V (da 1.14v a 1.26V)
VDDQ = 1.2V (da 1.14v a 1.26V)
VPP - 2.5V (da 2,375 V a 2,75 V)
VDDSPD = 2.25V a 3.6V
Inominale e dinamica Terminatura a dieta (ODT) per segnali di dati, strobo e maschera
Aggiorna auto auto-power (LPASR)
Data Bus Inversion (DBI) per bus dati
On-die VreFDQ Generazione e calibrazione
In-board I2C Serial Presence-Detect (SPD) EEPROM
16 Banche interne; 4 gruppi di 4 banche ciascuno
Coppino a burst (BC) di 4 e lunghezza di scoppio (BL) di 8 tramite il set di registro di modalità (MRS)
Selezionabile BC4 o BL8 on-the-Fly (OTF)
Databus Write Ridondancy Controck (CRC)
Aggiornamento controllato con temperatura (TCR)
COMMAND/INDIRIZZO (CA) PARITÀ
Per Dram Indirizzabilità è supportata
8 bit preimpresa
Topologia fly-by
Command/indirizzo latenza (CAL)
Commando di controllo e bus di indirizzo terminato
pcb: altezza 1,23 "(31,25 mm)
Contatti di bordo Gold
Rohs conforme e senza alogeno
Parametri di temporizzazione dei tasti
MT/s |
tCK |
CAS Latency |
tRCD |
tRP |
tRAS |
tRC |
CL-tRCD-tRP |
DDR4-2666 |
0.75 |
19 |
14.25 |
14.25 |
32 |
46.25 |
19-19-19 |
Tabella degli indirizzi
Configuration |
Number of |
Bank Group |
Bank |
Row Address |
Column |
Page size |
8GB(1Rx8) |
4 |
BG0-BG1 |
BA0-BA1 |
A0-A15 |
A0-A9 |
1 KB |
Diagramma a blocchi funzionale
Modulo da 8 GB, 1GX64 (1RANK di X8)
Valutazioni massime assolute
Valutazioni DC massime assolute
Symbol |
Parameter |
Rating |
Units |
NOTE |
VDD |
Voltage on VDD pin relative to VSS |
-0.3 ~ 1.5 |
V |
1,3 |
VDDQ |
Voltage on VDDQ pin relative to VSS |
-0.3 ~ 1.5 |
V |
1,3 |
VPP |
Voltage on VPP pin relative to VSS |
-0.3 ~ 3.0 |
V |
4 |
VIN, VOUT |
Voltage on any pin except VREFCA relative to VSS |
-0.3 ~ 1.5 |
V |
1,3,5 |
TSTG |
Storage Temperature |
-55 to +100 |
°C |
1,2 |
Intervallo di temperatura di funzionamento del componente DRAM
Symbol |
Parameter |
Rating |
Units |
Notes |
TOPER |
Normal Operating Temperature Range |
0 to 85 |
°C |
1,2 |
Extended Temperature Range |
85 to 95 |
°C |
1,3 |
Condizioni operative AC e DC
Condizioni operative DC consigliate
Symbol |
Parameter |
Rating |
Unit |
NOTE |
||
Min. |
Typ. |
Max. |
||||
VDD |
Supply Voltage |
1.14 |
1.2 |
1.26 |
V |
1,2,3 |
VDDQ |
Supply Voltage for Output |
1.14 |
1.2 |
1.26 |
V |
|
VPP |
Supply Voltage for DRAM Activating |
2.375 |
2.5 |
2.75 |
V |
3 |
Dimensioni del modulo
Vista frontale
Vista posteriore
Shenzhen, Guangdong, China
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